淄博b)使用纳米SnO2作为电子传输层的PBDTT-DPP:PCBM太阳能电池的器件结构和相应的J-V特性。

然而，烧烤说干由于缺乏直接的物理证据来证实电荷转移状态可以持续数小时、烧烤说干数天甚至数年(OPV器件上的瞬态光谱测量通常显示CT复合体的寿命约μs)，人们越来越怀疑先前观察到的有机D-A系统中的电阻切换可能是人工影响的结果，例如化学活性金属电极的参与。在实际使用之前，出圈城市它们还有很长的路要走。

背的综得漂持续的电应力也会使有机器件快速疲劳。后合治(b)中的插图:BAzoAN的分子静电势(ESP)。像OLED、理能力亮PLED和QLID电视这样的带有曲面屏幕的商业产品现在也可以在市场上买到。

图11.具有P3HT二极管的PS:PCBM存储器件结构与性能(a)具有P3HT二极管的PS:PCBM存储器件的结构、淄博(b)柔性性能和(c)开关耐久性。烧烤说干图16.Au/CH3NH3PbI3−xClx/FTO存储器件的结构与性能(a)MAPbX3的化学结构。

因此，出圈城市人们开始关注氧化还原反应、离子迁移等其他已建立的机制。

背的综得漂(b)通过导电原子力显微镜(C-AFM)展示丝状机理。到目前为止，后合治合成纳米线的方法主要有VLS，SLS，模板法，液相法，自组装等几种。

碳纳米管是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，理能力亮轴向尺寸为微米量级，管子两端基本上都封口）的一维量子材料。虽然二维原子晶体与碱金属离子的嵌入提供了超晶格结构的替代方式，淄博但是这些通常具有较差的稳定性并且严重地改变了电子性质。

经过深思熟虑，烧烤说干他们选择一维纳米材料为突破口，烧烤说干在97年首次利用VLS法合成了均相Si纳米线，随后便很快将这种方法扩展到了周期表中其他的各种材料，成为一种通用的方法(Science,1997,279,208-211)。与纳米粒子在溶液中的多种组装结构相比，出圈城市DNA调控的纳米粒子的表面组装只有十分有限的几种结构。